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京瓷晶振,貼片晶振,KC3225L-H3晶振

京瓷晶振,貼片晶振,KC3225L-H3晶振京瓷晶振,貼片晶振,KC3225L-H3晶振

產(chǎn)品簡介

超小型表面貼片型SMD晶振,最適合使用在汽車電子領(lǐng)域中,也是特別要求高可靠性的引擎控制用CPU的時(shí)鐘部分.低頻晶振可從7.98MHz起對(duì)應(yīng),小型,超薄型具備強(qiáng)防焊裂性,石英晶體在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下也能發(fā)揮穩(wěn)定的起振特性,產(chǎn)品本身具有耐熱,耐振,耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性,滿足無鉛焊接以及高溫回流溫度曲線要求.

產(chǎn)品詳情

日本京瓷晶振株式會(huì)社保持公正、體面的工作精神,尊重人,我們的工作,我們的公司和我們的全球社區(qū).提供的材料和知識(shí)有機(jī)會(huì)增長我們所有的員工,并通過我們的共同努力,為社會(huì)和人類的進(jìn)步做出貢獻(xiàn).石英晶體,貼片晶振, 溫補(bǔ)晶振對(duì)于手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)和其他數(shù)字設(shè)備關(guān)鍵部件的性能有重要影響.京瓷晶振設(shè)備是世界領(lǐng)先生產(chǎn)石英晶振設(shè)備的廠商之一,涵蓋各個(gè)方面的生產(chǎn)增長的合成石英晶體使用石英晶體生產(chǎn)最終產(chǎn)品,包括石英晶振,石英晶體振蕩器,以及過濾器和光學(xué)設(shè)備.

京瓷晶振,貼片晶振,KC3225L-H3晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn).

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。

項(xiàng)目

符號(hào)

KC3225L-H3晶振規(guī)格說明

條件

輸出頻率范圍

f0

25~175MHz

請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息

電源電壓

VCC

1.60 V to 3.63 V

請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55 to +125

裸存

工作溫度

T_use

-40 to +105

請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.jintuocc.com



頻率穩(wěn)定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無負(fù)載條件、最大工作頻率

待機(jī)電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

VOL

0.4 V Max.

輸出負(fù)載條件

L_CMOS

15 pF Max.

輸入電壓

VIH

80% VCCMax.

ST終端

VIL

20 % VCCMax.

上升/下降時(shí)間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCCto 80 % VCC, L_CMOS=15 pF

振蕩啟動(dòng)時(shí)間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6/ year Max.

+25 , 初年度,第一年

KC3225L-H3晶振,耐沖擊石英晶振,石英晶體諧振器

所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響。
2:輻射
貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時(shí)間的照射。
3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4:粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
5:鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
6:靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.
京瓷晶振環(huán)保方針:

京瓷晶振全體員工都積極地投身環(huán)保活動(dòng),希望能夠在兼顧環(huán)保性和經(jīng)濟(jì)性的同時(shí),實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展。尤其是在節(jié)能、溫室效應(yīng)對(duì)策方面,引進(jìn)節(jié)能設(shè)備、安裝太陽能發(fā)電系統(tǒng)、實(shí)施墻面綠化等開展了一系列節(jié)能活動(dòng)。此外,還開展了保護(hù)生物多樣性等活動(dòng)。京瓷晶振為區(qū)域發(fā)展所做的貢獻(xiàn)受到了高度評(píng)價(jià),連續(xù)6年榮獲日本環(huán)境省頒發(fā)的"防止全球變暖活動(dòng)環(huán)境大臣表彰獎(jiǎng)",成為獲獎(jiǎng)次數(shù)最多的企業(yè)。

京瓷晶振集團(tuán)希望銷售的所有產(chǎn)品都能為地球環(huán)保做貢獻(xiàn),因此致力于開發(fā)環(huán)境友好型產(chǎn)品。為進(jìn)行環(huán)境友好型產(chǎn)品的設(shè)計(jì),京瓷晶振明確了“環(huán)境友好理念”。將對(duì)于防止全球變暖、節(jié)能、節(jié)省資源、削減有害物質(zhì)做出積極貢獻(xiàn)的產(chǎn)品定為“環(huán)保商品”,并針對(duì)所有產(chǎn)品設(shè)定了以環(huán)境友好理念為基礎(chǔ)的評(píng)價(jià)基準(zhǔn)。通過這些努力,在2015年度,環(huán)保商品的比例達(dá)到了99%。今后,京瓷晶振集團(tuán)將繼續(xù)開展相關(guān)活動(dòng),為提供更多環(huán)境友好型產(chǎn)品而努力。京瓷晶振,貼片晶振,KC3225L-H3晶振.

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