荷蘭FCD-Tech晶振具有SMD封裝和IDP封裝,具有2016mm~8045mm體積,基于連接到晶體諧振器的電子元件的負載的初始頻率,具有多種頻率容差供應客戶選擇.在一定溫度范圍內的頻率容差,以及耐高溫度,ESR等效串聯電阻等重要參數為用戶提供多種選擇.
遙遙領先希華石英晶體諧振器隱知識解析，晶振電路無信號輸出？
步驟1-1。請檢查SMD晶振輸入端(Xin)和輸出端(Xout)的電壓，并檢查電壓是否符合IC規范。
步驟1-2。請卸載晶體，并使用專業測試機器測試其頻率和負載電容，看看它們是否振動并符合您的規格。您也可以將其發送給供應商，讓他們為您進行測試。
步驟1-3。如果晶體不振動，其負載電容與您的規格不匹配，或者當前頻率與您的目標頻率之間存在巨大差距，請將晶體發送給您的供應商進行質量分析。
步驟1-4。如果頻率和負載電容符合你的規格，但問題也存在。需要執行振蕩電路評估。您也可以將其發送給供應商，讓他們為您進行測試。
步驟1-5。下圖所示為一般振蕩電路，其中Cd和Cg為外部負載電容，Rf為反饋電阻，Rd為限流電阻。
負電阻(-R)是評價振蕩電路好壞的標準，其值至少應為晶振電阻的5倍，以維持穩定的振蕩。因此，按照以下說明測量負電阻非常重要:
(1)將電阻(Rx)與晶體串聯
(2)從振蕩的起點到終點調整Rx的值。
(3)測量振蕩期間Rx的值。
(4)你將能夠獲得負電阻的值，|-R| = Rx + Re，Re =有效晶體電阻。
步驟1-6。如果IC的負電阻太低，無法驅動電路，我們提出三種解決方案來改善這種情況。
(1)降低限制電阻器(Rd)的值。但是，您還應該確認頻移和晶體驅動電流是否同時符合規格。
(2)降低外部電容(Cg和Cd)的值，采用負載電容(CL)較低的其他晶體。
(3)采用電阻(Rr)較低的晶體。遙遙領先希華石英晶體諧振器隱知識解析.
領先同行瑞薩石英晶體振蕩器的電路，振蕩器是任何微控制器系統的核心，因此在設計中應給予適當的關注，以確保設計盡可能可靠。
我們都可以設計一個正常工作的振蕩器，但要在所有元件的容差范圍內設計一個能在生產中正常工作的振蕩器，卻需要一點努力。典型的瑞薩微控制器用戶手冊將提供一個或多個典型的振蕩器電路(通常由示例中使用的晶體或陶瓷諧振器的供應商推薦給瑞薩)，以及等效振蕩器電路的簡單規格。
可靠振蕩所需的確切電路可能因OSC振蕩器而異，也可能受到電路板布局和環境條件的影響。在任何情況下，我們都強烈建議設計人員聯系所選的振蕩器供應商，向他們詢問適合其設計的推薦電路，并自行測試振蕩器，以確定所需的振蕩器電路參數。
對于許多應用，陶瓷諧振器可以提供良好的低成本解決方案；然而，如果需要更高的穩定性和更精確的定時，晶體提供了最佳的解決方案。然而，在低功率應用中，Q值較高的晶體啟動時間要慢得多。事實上，頻率越低，啟動時間越長；一個32千赫的晶體可能需要1 - 3秒啟動。
在許多微控制器中，需要仔細考慮晶體漂移和穩定性的影響，尤其是對于需要時鐘功能的應用；然而，振蕩器性能的知識可以允許在軟件中進行校正。
瑞薩微控制器上最常用的振蕩器設計是皮爾斯振蕩器，如下所示。
內部反相器的輸出通過外部有源晶振電路反饋到其輸入端，形成一個不穩定的反饋環路。當振蕩器的輸出延遲足以提供360°相位延遲時，穩定的振蕩得以持續。晶體與負載電容C1和C2一起提供了一個調諧電路，可以穩定振蕩頻率
Rf反饋電阻器-這在第一個逆變器周圍提供負反饋，并確保逆變器工作在其線性區域。這在晶體振蕩器中很少需要，但在使用陶瓷諧振器時經常需要，以確保振蕩器正確啟動。建議典型值在1MOhm范圍內。一些瑞薩微控制器有內部反饋電阻。
Rd -阻尼電阻–這是一個串聯電阻，旨在防止振蕩器過激勵。通常，如果C1和C2選擇正確，這不是必需的。該電阻有幾個作用:穩定反饋電路的相位，降低較高頻率下的環路增益；通過在逆變器輸出端放置Rd，輸出電阻增加，電流降低。Rd還與C2一起構成一個低通濾波器，可以大大減少不必要的振蕩模式。Rd的典型值在250 - 500歐姆范圍內
C1和C2 -負載電容-負載電容與晶體或諧振器一起提供180°的相位滯后，共同提供啟動和維持振蕩的能量。
晶體或陶瓷諧振器的工作會受到一系列環境效應的影響，例如溫度和濕度，以及電路參數，例如工作電壓。
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