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Si531差分晶振|6G無線網絡晶振|531FC156M250DG|Silicon低電流振蕩器

頻率：156.25MHZ

尺寸：7.00x5.00mm

Si531差分晶振|6G無線網絡晶振|531FC156M250DG|Silicon低電流振蕩器，尺寸7.00x5.00mm，頻率156.25MHZ，輸出邏輯LVDS，電壓2.5V，頻率穩定性7ppm，腳位6-SMD，XO時鐘振蕩器（標準），LVDS輸出晶振，LVDS差分晶體振蕩器，石英晶體振蕩器，有源晶振，進口有源晶振，歐美進口晶振，7050mm有源振蕩器，六腳貼片差分晶振，6G無線網絡差分晶振，低電壓差分晶振，低功耗差分晶振，低相位差分晶振，高性能差分晶振，視頻專用晶振，產品很適合用于超聲波/SDH，網絡，SD/HD視頻，測試和測量，時鐘和數據恢復，FPGA/ASIC時鐘生成等領域.

Si530/531 XO有源晶振采用Skyworks Solutions的先進DSPLL®電路以提供高頻下的低抖動時鐘。Si530/531可用具有從10到945MHz的任意速率輸出頻率，并選擇頻率1400兆赫。與傳統XO不同，在傳統XO中每個輸出頻率，Si530/531使用一個固定晶體來提供寬范圍的輸出頻率。這種基于IC的方法允許晶體諧振器，提供卓越的頻率穩定性和可靠性。Si531差分晶振|6G無線網絡晶振|531FC156M250DG|Silicon低電流振蕩器.

訂購熱線：0755-27876201

Si531差分晶振|6G無線網絡晶振|531FC156M250DG|Silicon低電流振蕩器 參數表

Parameter	Symbol	Test Condition	Min	Typ	Max	Unit
Supply Voltage1	V DD	3.3 V option	2.97	3.3	3.63	V
		2.5 V option	2.25	2.5	2.75	V
		1.8 V option	1.71	1.8	1.89	V
Supply Current	IDD	Output enabled LVPECL CML LVDS CMOS	— — — —	111 99 90 81	121 108 98 88	mA
		Tristate mode	—	60	75	mA
Output Enable (OE)2		VIH	0.75 x V DD	—	—	V
		VIL	—	—	0.5	V
Operating Temperature Range	TA		–40	—	85	ºC

Parameter

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

Nominal Frequency1,2

LVPECL/LVDS/CML

—

945

MHz

CMOS

—

160

MHz

Initial Accuracy

Measured at +25 °C at time of
shipping

—

±1.5

—

ppm

Temperature Stability1,3

–7
–20
–50

—

+7
+20
+50

ppm

Aging

Frequency drift over first year

—

±3

ppm

Frequency drift over 20 year
life

—

±10

ppm

Parameter

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

Total Stability

Temp stability = ±7 ppm

—

±20

ppm

Temp stability = ±20 ppm

—

±31.5

ppm

Temp stability = ±50 ppm

±61.5

ppm

Powerup Time4

tOSC

Parameter

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

LVPECL Output Option1

mid-level

V DD – 1.42

—

V DD – 1.25

VOD

swing (diff)

1.1

—

1.9

VPP

VSE

swing (single-ended)

0.55

—

0.95

VPP

LVDS Output Option2

mid-level

1.125

1.20

1.275

VOD

swing (diff)

0.5

0.7

0.9

VPP

CML Output Option2

2.5/3.3 V option mid-level

V DD – 1.30

1.8 V option mid-level

V DD – 0.36

VOD

2.5/3.3 V option swing (diff)

1.10

1.50

1.90

VPP

1.8 V option swing (diff)

0.35

0.425

0.50

VPP

CMOS Output Option3

V OH

I OH= 32 mA

0.8 x V DD

V DD

VOL

I OL= 32 mA

0.4

Rise/Fall time (20/80%)

tR,t F

LVPECL/LVDS/CML

350

CMOS with CL= 15 pF

Symmetry (duty cycle)

SYM

LVPECL:
(diff)
LVDS:
CMOS:

V DD – 1.3 V

1.25 V (diff)
V DD/2

Si531差分晶振|6G無線網絡晶振|531FC156M250DG|Silicon低電流振蕩器 尺寸圖

OSC晶振產品特征:

可用于任何速率的輸出

頻率從10兆赫到945兆赫

并選擇1.4 GHz的頻率

集成superior的第三代DSPLL

抖動性能頻率穩定性比高3倍

基于SAW的振蕩器

內部固定晶振頻率

確保高可靠性和低老化

可用的CMOS、LVPECL、 LVDS和CML輸出

3.3、2.5和1.8 V電源選項

行業標準5 x 7毫米

封裝和引腳排列

無鉛/符合RoHS標準

更多相關Silicon晶振型號

原廠代碼	品牌	型號	頻率	電壓	頻率穩定度
511ABA155M520AAG	Silicon振蕩器	Si511	155.52MHz	3.3V	±25ppm
510FBA148M500AAG	Silicon振蕩器	Si510	148.5MHz	2.5V	±25ppm
511BBA155M520AAG	Silicon振蕩器	Si511	155.52MHz	3.3V	±25ppm
510BBA148M500AAG	Silicon振蕩器	Si510	148.5MHz	3.3V	±25ppm
510ABA148M500AAG	Silicon振蕩器	Si510	148.5MHz	3.3V	±25ppm
510DBA100M000AAG	Silicon振蕩器	Si510	100MHz	3.3V	±25ppm
531AC125M000DG	Silicon振蕩器	Si531	125MHz	3.3V	±7ppm
531FC125M000DG	Silicon振蕩器	Si531	125MHz	2.5V	±7ppm
530AC156M250DG	Silicon振蕩器	Si530	156.25MHz	3.3V	±7ppm
531FC156M250DG	Silicon振蕩器	Si531	156.25MHz	2.5V	±7ppm
531FC148M500DG	Silicon振蕩器	Si531	148.5MHz	2.5V	±7ppm
531AC155M520DG	Silicon振蕩器	Si531	155.52MHz	3.3V	±7ppm
530AC155M520DG	Silicon振蕩器	Si530	155.52MHz	3.3V	±7ppm
531BC155M520DG	Silicon振蕩器	Si531	155.52MHz	3.3V	±7ppm
531FC200M000DG	Silicon振蕩器	Si531	200MHz	2.5V	±7ppm
530BC148M500DG	Silicon振蕩器	Si530	148.5MHz	3.3V	±7ppm
536EB156M250DG	Silicon振蕩器	Si536	156.25MHz	2.5V	±20ppm
536BB125M000DG	Silicon振蕩器	Si536	125MHz	3.3V	±20ppm
531AC622M080DG	Silicon振蕩器	Si531	622.08MHz	3.3V	±7ppm
531AC312M500DG	Silicon振蕩器	Si531	312.5MHz	3.3V	±7ppm
510ABA000149BAG	Silicon振蕩器	Si510	74.175824MHz	3.3V	±25ppm
510BBA000149BAG	Silicon振蕩器	Si510	74.175824MHz	3.3V	±25ppm
511FBA000149BAG	Silicon振蕩器	Si511	74.175824MHz	2.5V	±25ppm
510ABA106M250BAG	Silicon振蕩器	Si510	106.25MHz	3.3V	±25ppm
511ABA106M250BAG	Silicon振蕩器	Si511	106.25MHz	3.3V	±25ppm
511FBA74M2500BAG	Silicon振蕩器	Si511	74.25MHz	2.5V	±25ppm
511ABA000149BAG	Silicon振蕩器	Si511	74.175824MHz	3.3V	±25ppm
510FBA000149BAG	Silicon振蕩器	Si510	74.175824MHz	2.5V	±25ppm
510ABA74M2500BAG	Silicon振蕩器	Si510	74.25MHz	3.3V	±25ppm
510FBA000149AAG	Silicon振蕩器	Si510	74.175824MHz	2.5V	±25ppm
510ABA125M000AAG	Silicon振蕩器	Si510	125MHz	3.3V	±25ppm
510ABA106M250AAG	Silicon振蕩器	Si510	106.25MHz	3.3V	±25ppm
511FBA106M250AAG	Silicon振蕩器	Si511	106.25MHz	2.5V	±25ppm
510ABA74M2500AAG	Silicon振蕩器	Si510	74.25MHz	3.3V	±25ppm
511FBA000149AAG	Silicon振蕩器	Si511	74.175824MHz	2.5V	±25ppm
510BBA000149AAG	Silicon振蕩器	Si510	74.175824MHz	3.3V	±25ppm
510ABA000149AAG	Silicon振蕩器	Si510	74.175824MHz	3.3V	±25ppm
510FBA74M2500AAG	Silicon振蕩器	Si510	74.25MHz	2.5V	±25ppm
511ABA74M2500AAG	Silicon振蕩器	Si511	74.25MHz	3.3V	±25ppm
510BBA106M250AAG	Silicon振蕩器	Si510	106.25MHz	3.3V	±25ppm
511ABA000149AAG	Silicon Crystal	Si511	74.175824MHz	3.3V	±25ppm
510BBA74M2500AAG	Silicon振蕩器	Si510	74.25MHz	3.3V	±25ppm
511FBA74M2500AAG	Silicon振蕩器	Si511	74.25MHz	2.5V	±25ppm
510FBA106M250AAG	Silicon振蕩器	Si510	106.25MHz	2.5V	±25ppm
511BBA000149AAG	Silicon振蕩器	Si511	74.175824MHz	3.3V	±25ppm
510ABA155M520BAG	Silicon振蕩器	Si510	155.52MHz	3.3V	±25ppm
510FBA155M520BAG	Silicon振蕩器	Si510	155.52MHz	2.5V	±25ppm
511FBA155M520BAG	Silicon振蕩器	Si511	155.52MHz	2.5V	±25ppm
510ABA000110BAG	Silicon振蕩器	Si510	148.35165MHz	3.3V	±25ppm
511ABA000110BAG	Silicon振蕩器	Si511	148.35165MHz	3.3V	±25ppm

Si531差分晶振 6G無線網絡晶振 531FC156M250DG Silicon低電流振蕩器

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