鴻星晶振已經(jīng)成為全球從事石英晶振頻率控制組件的重要制造商之一,致力于插件晶振(DIP)與(SMD)貼片晶振,有源晶振,壓控振蕩器系列產(chǎn)品之研發(fā)、設計、生產(chǎn)與營銷。鴻星晶振致力于提供客戶最優(yōu)異的質(zhì)量、服務及價值,專注于專業(yè)創(chuàng)新并鼓勵員工以團隊合作及積極成長的態(tài)度與時俱進。
鴻星晶振,貼片晶振,E1SB晶振,小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數(shù)碼產(chǎn)品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優(yōu)良的耐環(huán)境特性,如耐熱性,耐沖擊性.
石英晶振真空退火技術:晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性。
鴻星晶振規(guī)格 |
單位 |
E1SB貼片晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
16~62.500MHz |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-55°C ~ +125°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-30°C ~ +85°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6(標準), |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
8~16PF |
超出標準說明,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C,DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6/ year Max. |
+25°C,第一年 |

所有產(chǎn)品的共同點
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產(chǎn)品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。
3:化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
4:粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6:靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。
鴻星晶振環(huán)保方針:
鴻星晶振科技股份有限公司藉由環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)的推動執(zhí)行,以整合內(nèi)部資源,奠定經(jīng)營管理的基礎。藉執(zhí)行環(huán)境考量面/安衛(wèi)危害鑒別作業(yè),環(huán)境/安衛(wèi)管理方案和內(nèi)部稽核為手段,合理化推動環(huán)境/安衛(wèi)管理,落實環(huán)境/安衛(wèi)系統(tǒng)有效實施。并不斷透過教育訓練灌輸員工環(huán)境/安衛(wèi)觀念及意識,藉由改善公司制程以達到污染預防、工業(yè)減廢、安全與衛(wèi)生、符合法規(guī)要求使企業(yè)永續(xù)發(fā)展減少環(huán)境/安衛(wèi)負擔,并滿足客戶需求,獲得客戶的信賴而努力.
鴻星晶振科技堅持在發(fā)展中保護、在保護中發(fā)展,積極探索環(huán)境保護新道路,切實解決影響科學發(fā)展和損害群眾健康的突出環(huán)境問題,全面開創(chuàng)環(huán)境保護工作新局面。鴻星晶振,貼片晶振,E1SB晶振.