頻率:45~130MHz
尺寸:3.0*3.0mm
日本大真空株式會社KDS晶振品牌實力見證未來,KDS晶振集團總公司位于日本兵庫縣加古川,在泰國,印度尼西亞,臺灣,中國天津這些大城市均有壓控晶體振蕩器,貼片晶振,陶瓷霧化片,32.768K鐘表晶振,溫補晶振的生產工廠,而天津KDS晶振工廠是全球石英晶振生產最大量的工廠,自從1993年在天津投產以來,技術更新從未間斷.
KDS晶振,貼片晶振,DSF334SAF晶振,貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發展的高端電子數碼產品,因為晶振本身小型化需求的市場領域,小型?薄型是對應陶瓷諧振器(偏差大)和普通的石英晶體諧振器(偏差小)的中間領域的一種性價比較出色的產品.
晶振的研發及生產超小型石英晶振完成晶片的設計特別是外形尺寸的設計是首要需解決的技術問題,公司在此方面通過理論與實踐相結合,模擬出一整套此石英晶振晶片設計的計算機程序,該程序晶振的晶片外形尺寸已全面應用并取得很好的效果。
項目 |
符號 |
DSF334SAF晶振規格說明 |
條件 |
輸出頻率范圍 |
f0 |
45~130MHz |
請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息 |
電源電壓 |
VCC |
4.5~5.5V |
請聯系我們以了解更多相關信息 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40℃ to +85℃ |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
G: -10℃ to +70℃ |
請聯系我們查看更多資料http://www.jintuocc.com/ |
H: -20℃ to +70℃ |
|||
J: -40℃ to +125℃ |
|||
頻率穩定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負載條件、最大工作頻率 |
待機電流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
輸出電壓 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
輸出負載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降時間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
振蕩啟動時間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
所有產品的共同點
1:抗沖擊
抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響。
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。
3:化學制劑 / pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。
4:粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能。)
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6:靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。
KDS晶振集團認識到進行環境管理和資源保持的責任和必要性,同時也認識到針對全球環境問題,為保持國際環境而進行各行業建設性的合作是極其重要的。過去KDS晶振集團已經針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續識別解決其自身環境污染及保持問題,加強責任感以便進行環境績效的持續改進。
KDS晶振集團將:不論何時何地盡可能的進行源頭污染預防。為環境目標指標的建立與評審提供框架。通過充分利用或回收等方法實現對自然資源的保持。KDS晶振集團將確保其產品及相關設施滿足甚至超出國家的、州立的以及地方環保機構的相關法規規定及其他要求,同時該公司盡可能的參與并協助政府機關和其他官方組織從事的環保活動。KDS晶振,貼片晶振,DSF334SAF晶振.