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美國(guó)HEC晶振,2012mm,HE-MCC-21-32.768K-12.5,32.768KHZ

頻率：32.768KHZ

尺寸：2.0x1.2mm

美國(guó)HEC晶振,2012mm,HE-MCC-21-32.768K-12.5,32.768KHZ,進(jìn)口無(wú)源晶振,兩腳貼片晶振,32.768K晶振,2012小體積晶振,無(wú)源晶振,SMD晶振,SMD音叉晶體,尺寸2.0x1.2mm,頻率32.768KHZ,負(fù)載12.5pF,無(wú)鉛環(huán)保晶振,低損耗晶振,低老化晶振,高品質(zhì)晶振,高性能晶振,智能體溫計(jì)晶振,智能手表晶振,電子體重秤晶振,藍(lán)牙耳機(jī)晶振,數(shù)字水表晶振,微處理器時(shí)鐘晶振.

訂購(gòu)熱線：0755-27876201

美國(guó)HEC晶振,2012mm,HE-MCC-21-32.768K-12.5,32.768KHZ特點(diǎn):

無(wú)源晶體具有輕薄小低老化的特點(diǎn)

絕緣電阻：最小500MΩ@直流100V

溫度系數(shù)：-0.034±0.006ppm/℃²

符合ROHS

美國(guó)HEC晶振,2012mm,HE-MCC-21-32.768K-12.5,32.768KHZ 參數(shù)表

ELECTRICAL SPECIFICATIONS
PARAMETERS	CONDITIONS	MINIMUM	STANDARD	MAXIMUM	UNIT
FREQUENCY RANGE			32.768		KHz
FREQ. TOLERANCE	at 25 °C		±20		PPM
DRIVE LEVEL			10μW typical 100μW Max.
OPERATING TEMPERATURE		-40 °C to +85 °C			°C
STORAGE TEMPERATURE		-40 °C to +85 °C			°C
SHUNT CAPACITANCE (CO)				1.5	pF
LOAD CAPACITANCE (CL)			12.5 pF		pF
ESR			70KΩ Max.
AGING CHARACTERISTICS			±3 PPM / year
TEMPERATURE COEFFICIENT -0.034±0.006ppm/℃²

美國(guó)HEC晶振,2012mm,HE-MCC-21-32.768K-12.5,32.768KHZ 尺寸圖

美國(guó)HEC晶振 2012mm HE-MCC-21-32.768K-12.5 32.768KHZ

采購(gòu)：美國(guó)HEC晶振,2012mm,HE-MCC-21-32.768K-12.5,32.768KHZ

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