Macrobizes的XM53-15P10FE20-XM53-T12.8M石英晶體單位的解釋
晶體單元的振動實(shí)際上是機(jī)械振動。然而，如果晶體單元的行為是電轉(zhuǎn)換的，則它可以用二端網(wǎng)絡(luò)來表示。由L1、C1和R1組成的串聯(lián)電路與彈性振動有關(guān)，而與串聯(lián)臂并聯(lián)的C0元件則是一個電容，電容由石英晶振晶體片的電介質(zhì)構(gòu)成。電阻R1是晶體單元在串聯(lián)諧振頻率下的諧振電阻。（見圖1 .）
AT切割的特性目前最常用的AT切割晶體單元的頻率-溫度特性由三次曲線表示。（見圖2）以在給定工作溫度范圍內(nèi)獲得所需頻率容差的角度切割晶片。然而，實(shí)際上，由于連續(xù)過程中切割和拋光精度的結(jié)果，表觀切割角可能存在一些差異。因此，有必要提高加工精度。
由于晶體單元執(zhí)行機(jī)械振動，過多的振動可能導(dǎo)致不穩(wěn)定的振蕩頻率，并在最壞的情況下最終導(dǎo)致破壞。設(shè)計(jì)振蕩電路時，應(yīng)檢查驅(qū)動水平，以便使用低于本公司規(guī)定水平的振蕩器。圖3示出了確認(rèn)駕駛水平的示例方法。該方法采用電流探針來測量石英晶體振蕩器電流。在這種情況下，驅(qū)動級別如下:
當(dāng)晶體單元作為振蕩電路中的感抗被激活時，貼片晶振晶體單元和振蕩電路之間的關(guān)系如圖4所示。為了改善振蕩電路的啟動條件，最好增加振蕩電路的參數(shù)負(fù)電阻-R的值。如果負(fù)電阻容差不大（負(fù)電阻較小）的電路與具有較大諧振電阻的晶體單元組合在一起，啟動條件會變得更糟。振蕩電路應(yīng)設(shè)計(jì)成負(fù)電阻值是諧振電阻的5到10倍。負(fù)載電容的中心值（用于確定振蕩頻率的絕對值）和可變范圍（振蕩頻率的微調(diào)范圍）也必須保持在振蕩電路中的最佳值。
下面介紹由晶體單元組成的典型振蕩電路。例如，使用的元素常數(shù)。
（1）晶體單元被設(shè)計(jì)為具有100 W及以下的較低驅(qū)動限制水平。使用前，應(yīng)在實(shí)際安裝電路中檢查晶體電流。（參見圖3 .）
必須檢查電路的負(fù)電阻。根據(jù)圖6可以確認(rèn)負(fù)電阻。負(fù)電阻的目標(biāo)是諧振電阻的5倍或更多倍。
（3）當(dāng)用于C-MOS振蕩電路時，電路圖中的Rd是不可或缺的。（見圖5）。如果連接了該Rd，驅(qū)動水平將保持在規(guī)定值內(nèi)，并且可以獲得穩(wěn)定的振蕩頻率。
（4）Cg和Cd應(yīng)在10？30pF。如果Cg和Cd在10pF以下或30pF以上使用，進(jìn)口晶振，振蕩可能很容易受到電路性能的影響，驅(qū)動電平可能會增加，或者負(fù)電阻可能會降低，從而無法保持穩(wěn)定的振蕩。
（5）晶體振蕩電路的布局應(yīng)盡可能短。應(yīng)該減少電路和接地圖案之間的雜散電容。應(yīng)該避免晶體振蕩電路圖案與其他電路圖案交叉。
（6）如果使用的電路、IC類型和IC制造商不同，應(yīng)確認(rèn)頻率、驅(qū)動水平和負(fù)電阻。
*泛音振蕩電路需要額外咨詢
（1）當(dāng)在運(yùn)輸或電路板安裝時施加超過規(guī)定的過度沖擊和振動時，晶體元件有可能斷裂。當(dāng)一個沖擊超過規(guī)定時，一定要做特性確認(rèn)，增加一個振動。
（2）超聲波清洗可能導(dǎo)致晶體單元退化。
（3）在引線類型的情況下，將其留在引線基礎(chǔ)上并彎曲0.5或更多。
（4）極端電路板的變形有時會導(dǎo)致圖案脫落、端子和電極脫落、焊料裂紋。在特殊安裝后分割電路板時，請小心將其安裝在電路板曲線明顯出現(xiàn)的位置。
（5）盡可能選擇震動小的型號，當(dāng)您使用自動裝載機(jī)時，請?zhí)崆按_認(rèn)后使用。
（6）與JC-49/U系列相比，小晶體單元（HC-49U/S、HC-49USM、UM-1、SMD）的驅(qū)動極限水平較低，為100 w及以下。因此，在使用之前，應(yīng)該在實(shí)際安裝電路中檢查晶體電流。
必須檢查電路的負(fù)電阻。根據(jù)圖6，負(fù)電阻的確認(rèn)是可能的，負(fù)電阻的目標(biāo)約為諧振電阻的5倍。
（8）在C-MOS振蕩電路中使用時，石英晶體振蕩器，電路圖中的Rd不可或缺（見圖5）。如果該Rd達(dá)到要求，驅(qū)動水平將保持在規(guī)定值范圍內(nèi)，并且可以獲得穩(wěn)定的振蕩頻率。
（10）Cg和Cd應(yīng)在10~30pF范圍內(nèi)使用，如果Cg和Cd在10pF以下或20pF以上使用，振蕩很容易受到電路性能的影響，驅(qū)動水平可能會增加，或者負(fù)電阻可能會降低，從而無法保持穩(wěn)定振蕩。
晶體振蕩電路的布局應(yīng)盡可能短。
應(yīng)該減少電路和接地圖案之間的雜散電容。
應(yīng)避免晶體振蕩電路圖案與其他電路圖案交叉。
（11）如果使用的電路是IC類型，并且IC制造商不同，則應(yīng)確認(rèn)頻率、驅(qū)動水平和負(fù)電阻。
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