今天世衛組織估計心血管疾病（CVDs）是全球死亡的主要原因，估計每年奪走1790萬人的生命。心律失常占這些死亡的很大一部分。準確、快速地識別心律失常風險最高的患者并確保他們獲得適當、及時的治療可以防止過早死亡。新技術通過解析心臟波形中更小的信號和更精細的細節，石英晶振，提供了提高傳統ECG監護設備精度和功效的機會，從而實現更具體的診斷。
使用動態心臟監護儀CAM打造更智能的市場
準確的診斷始于準確的心電圖追蹤。更廣為人知的心電圖或心電圖/EKG是一種旨在記錄心臟電活動的設備。這種設備是非侵入性的，通常涉及放置在胸部和四肢皮膚上的電極，以測量心臟的電活動。輸出信號可用于確定或檢測可能導致心臟驟停、中風或意識喪失的異常心律（即心律失常）。這些監護儀被稱為長期心電圖（LT-ECG）監護儀，可全天候佩戴長達14天，無需更換監護電極，允許患者淋浴、舒適睡眠和進行鍛煉。這與歷史上的霍爾特監護儀形成了鮮明的對比，后者僅佩戴1-2天，帶有多根懸空導線和簡單的工程和心律分析。Bardy博士的發明CAM貼片是一種LT-ECG設備，具有出色的舒適性和順應性。
“雖然傳統監護儀在檢測R波（心臟發出的最大電信號）方面表現出色，并且R波無疑是心臟波形的重要組成部分，但僅靠R波不足以診斷許多異常心律。”加布里埃爾說。“在其他波的低振幅偏移中隱藏了太多其他信息。波形形狀的微小變化可能對幫助人們獲得改善健康和管理嚴重疾病所需的特定治療至關重要。”
在設計的各個層面上，CAM系統都需要進行優化，以捕捉這些微小而微妙的信號。然而，人為因素至關重要，因為該設備需要對患者的日常活動造成最低程度的干擾。
“老實說，當你的身體上纏繞著一條由電纜和傳感器組成的章魚時，就像典型的心臟監護儀一樣，你唯一能去的地方就是躲在臥室里。”
從巴蒂博士的角度來看，如果你想實踐好的醫學并徹底革新一個領域，設計的每個方面都至關重要。從包裝到心電圖過度讀數人員的培訓，每件產品都必須用心制作。然而，一切都圍繞著Bardy監視器的關鍵功能:感知來自心臟的非常細微的電信號的能力。這既是一個電氣設計挑戰，也是一個機械、生物和化學挑戰。尺寸、重量和舒適度對成功至關重要。但如果沒有心電圖的細微細節，其他一切都沒有什么價值。
加布里埃爾直言不諱地反映了該公司對質量和清晰度的堅定承諾以及患者至上的精神。“勇于嘗試不同的東西是關鍵。50年前最先進的藥物如今卻成了劣藥。CAM非常像一朵花，花瓣是設計的不同方面:化學、機械、電氣、固件、軟件、硬件、算法，尤其是做出最終過度閱讀決策的人。如果只摘下一片花瓣，花朵的美麗就會大打折扣。”
Silicon EFM32TG210 MCU是便攜式心臟監護儀
Silicon Labs晶振廠家花了20多年的時間來磨練其無線通信技術，以便像Bardy Diagnostics這樣的公司能夠推動其領域的創新。開發無線醫療設備有三個基本的工程挑戰。您必須保證以精確和快速的方式提供準確的測量結果，您需要通過強大的技術來增強醫療設備的無線安全性，并且您必須通過設計強大的技術和低功耗來最大限度地延長電池壽命。
Bardy Diagnostics的小型輕量級CAM補丁基于Silicon Lab EFM32架構。患者接口傳感器連接到系統的心臟EFM32TG210 MCU。該器件提供集成外設（ADC、SPI、異步串行接口和定時器功能），功耗極低，使CAM補片能夠有效“觀察”心臟的細微細節，從而將CAM補片與其他監護儀區分開來。
Silicon EFM32TG210 MCU是便攜式心臟監護儀
“首先，ADC提供分辨率和濾波選項，以確保他們能夠獲得所需的原始數據采集，同時保持在功耗預算范圍內。其次，與其他架構相比，EFM32TG微控制器的電源管理可顯著節省功耗。憑借極快的睡眠和喚醒轉換、外設的自動操作和低功耗時鐘生成，EFM32TG超出了系統要求，使用標準CR1225電池可實現長達14天的連續ECG記錄。硅實驗室的布萊恩·布魯姆解釋道。Gabriel還指出，貼片晶振，EFM32TG210的性能和功耗模式允許他們按照規格設計和構建CAM補丁，并最終實現預期的結果。他堅持認為，在設計設備時，擁有滿足性能預期的MCU是保持項目進度和預算的關鍵。“EFM32架構非常出色，僅用48 mAh CR1225電池就可以進行長達14天的完整披露記錄。被捕獲的信號可以低至150uVpp，即使在這個范圍內，模擬波形的細節也能保持清晰。EFM32架構包含高性能ADC，可以捕捉這些細節，同時保持電磁安靜的輻射特性，使小細節不會受到干擾的阻礙。集成過采樣和異常穩定且可配置的ADC特性是救命稻草。EFM32架構在當時絕對是革命性的，大多數芯片供應商仍在追趕。"
我們的高能效EFM32微型Gecko微控制器（MCU）具有低功耗優勢，例如掉電、滿RAM和寄存器保留。我們的微型Gecko 32位MCU采用4x4mm小尺寸封裝石英晶振，運行模式下的功耗低至150 μA/MHz，實時計數器運行時的功耗低至1μA，非常適合能源敏感型應用。Tiny Gecko MCU系列采用行業標準的ARM Cortex -M3處理器，提供自主、高能效外設以及高度的晶體和模擬集成。
巴蒂診斷公司的未來如何？
“該平臺最明顯的目標是更小、更輕、運行時間更長、連接更好。我們著眼于新一代Silicon Labs EFM32設備，如Pearl Gecko和支持藍牙的BG22，以實現該領域的未來改進。”加布里埃爾說。
藍牙是連接的首選，因為它提供了一種經過充分測試的成熟無線解決方案，而且功耗低，可與患者的移動設備或其他支持藍牙的網關互操作，并且協議具有很大的靈活性，可以權衡吞吐量、延遲和能耗。藍牙安全提供了出色的保護，包括安全配對、128位加密、數據隱私、反跟蹤等。
隨著CAM貼片繼續推動動態心臟監測和診斷的發展，看到巴蒂博士的愿景（主要基于他的個人經歷）正在幫助世界各地的患者，令人非常溫暖。
原廠代碼
晶振廠家
型號
頻率
電壓
頻率穩定度
包裝/封裝
510BBA156M250BAGR
Silicon晶振
Si510
156.25MHz
3.3V
±25ppm
6-SMD, No Lead
511FBA125M000BAG
Silicon晶振
Si511
125MHz
2.5V
±25ppm
6-SMD, No Lead
511BBA100M000AAG
Silicon晶振
Si511
100MHz
3.3V
±25ppm
6-SMD, No Lead
530BA125M000DG
Silicon晶振
Si530
125MHz
3.3V
±50ppm
6-SMD, No Lead
531FB125M000DG
Silicon晶振
Si531
125MHz
2.5V
±20ppm
6-SMD, No Lead
530BB100M000DG
Silicon晶振
Si530
100MHz
3.3V
±20ppm
6-SMD, No Lead
530FC156M250DG
Silicon晶振
Si530
156.25MHz
2.5V
±7ppm
6-SMD, No Lead
510ABA125M000BAG
Silicon晶振
Si510
125MHz
3.3V
±25ppm
6-SMD, No Lead
511BBA74M2500BAG
Silicon晶振
Si511
74.25MHz
3.3V
±25ppm
6-SMD, No Lead
510BBA156M250BAG
Silicon晶振
Si510
156.25MHz
3.3V
±25ppm
6-SMD, No Lead
511ABA156M250BAG
Silicon晶振
Si511
156.25MHz
3.3V
±25ppm
6-SMD, No Lead
510FBA200M000BAG
Silicon晶振
Si510
200MHz
2.5V
±25ppm
6-SMD, No Lead
510ABA200M000BAG
Silicon晶振
Si510
200MHz
3.3V
±25ppm
6-SMD, No Lead
530FA156M250DG
Silicon晶振
Si530
156.25MHz
2.5V
±50ppm
6-SMD, No Lead
531BC000110DG
Silicon晶振
Si531
148.35165MHz
3.3V
±7ppm
6-SMD, No Lead
535FB125M000DG
Silicon晶振
Si535
125MHz
2.5V
±20ppm
6-SMD, No Lead
SI50122-A4-GM
Silicon晶振
SI50122-A4
100MHz
2.25 V ~ 3.63 V
+100ppm
石英晶體振蕩器
511ABA156M250AAGR
Silicon晶振
Si511
156.25MHz
3.3V
±25ppm
6-SMD, No Lead
530FC125M000DG
Silicon晶振
Si530
125MHz
2.5V
±7ppm
6-SMD, No Lead
531BC200M000DG
Silicon晶振
Si531
200MHz
3.3V
±7ppm
6-SMD, No Lead
531BC250M000DG
Silicon晶振
Si531
250MHz
3.3V
±7ppm
6-SMD, No Lead
530AC622M080DG
Silicon晶振
Si530
622.08MHz
3.3V
±7ppm
6-SMD, No Lead
511FBA100M000BAG
Silicon晶振
Si511
100MHz
2.5V
±25ppm
6-SMD, No Lead
511BBA106M250BAG
Silicon晶振
Si511
106.25MHz
3.3V
±25ppm
6-SMD, No Lead
510BBA156M250AAG
Silicon晶振
Si510
156.25MHz
3.3V
±25ppm
6-SMD, No Lead
510ABA156M250AAG
Silicon晶振
Si510
156.25MHz
3.3V
±25ppm
6-SMD, No Lead
531BC125M000DG
Silicon晶振
Si531
125MHz
3.3V
±7ppm
6-SMD, No Lead
530AC125M000DG
Silicon晶振
Si530
125MHz
3.3V
±7ppm
6-SMD, No Lead
531FB106M250DG
Silicon晶振
Si531
106.25MHz
2.5V
±20ppm
6-SMD, No Lead
531AC156M250DG
Silicon晶振
Si531
156.25MHz
3.3V
±7ppm
6-SMD, No Lead
531AC200M000DG
Silicon晶振
Si531
200MHz
3.3V
±7ppm
6-SMD, No Lead
531BC148M500DG
Silicon晶振
Si531
148.5MHz
3.3V
±7ppm
6-SMD, No Lead
530AC200M000DG
Silicon晶振
Si530
200MHz
3.3V
±7ppm
6-SMD, No Lead
530BC200M000DG
Silicon晶振
Si530
200MHz
3.3V
±7ppm
6-SMD, No Lead
531BC156M250DG
Silicon晶振
Si531
156.25MHz
3.3V
±7ppm
6-SMD, No Lead
530FC200M000DG
Silicon晶振
Si530
200MHz
2.5V
±7ppm
6-SMD, No Lead
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