Fortiming晶振頻率元件公司與兩家亞洲制造業務部門建立了戰略合作伙伴關系,通過交叉投資分享制造專業知識,作為美國頻率元件的佼佼者,擁有精湛技術和低成本批量生產.工程設計,產品規格和后勤支持在我們位于馬薩諸塞州萬寶路的公司辦公室進行,而批量生產則在我們在亞洲的附屬工廠完成.這些生產設施已通過ISO認證,并提供新的自動化加工技術和精密的設備.下面則是Fortiming晶振公司對壓控晶體振蕩器的相關技術資料
VCXO是一種石英晶體振蕩器,包括變容二極管和相關電路,允許通過在該二極管上施加電壓來改變頻率.這可以通過簡單的邏輯時鐘或正弦波晶體振蕩器,或TCXO(產生TC/VCXO溫度補償電壓控制晶體振蕩器)或烤箱控制類型(導致OC/VCXO-烤箱控制電壓來實現壓控晶體振蕩器).除了定義固定頻率晶體振蕩器(XO)的那些特性之外,VCXO還有一些特有的特性.VCXO特有的規范中的主要內容如下:
控制電壓
這是變化的電壓,它被施加到VCXO輸入端子,導致頻率變化.它有時被稱為調制電壓,特別是如果輸入是AC信號.
偏差/拉動范圍
這是控制電壓變化引起的頻率變化量.例如,控制電壓從0.5到4.5伏的變化可能導致100ppm的偏差.該參數還可以定義所謂的平均斜率,即總頻率偏差除以總控制電壓擺幅.
斜率極性/傳遞函數-這表示頻率相對于控制電壓壓控晶體振蕩器的變化方向.正傳遞函數表示增加的正控制電壓的頻率增加.相反,如果頻率隨著更正(或更負)控制電壓而降低,則傳遞函數為負.
表面安裝電壓控制的壓控晶體振蕩器
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VC75 |
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VC53 |
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VC75PE |
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VC75P1 |
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VC75P2 |
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VCFR |
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VCFRPE |
線性
普遍接受的線性定義是MIL-0-55310中規定的.它是頻率誤差和總偏差之間的比率,以百分比表示,其中頻率誤差是通過輸出頻率對控制電壓繪制的所謂"最佳直線"的最大頻率偏移.如果有源晶振振蕩器的規格要求線性度為±10%,實際偏差總共為10kHz,則輸出頻率與控制電壓輸入的曲線可能會相差±1kHz(10kHz±10%)最好的直線.另一方面,如果與最佳直線的最大偏差為20ppm且總偏差為200ppm,則線性度為±20ppm/200ppm=±10%,這是典型VCXO的線性度值.
調制速率/頻率響應
這是控制電壓可以改變的速率,導致相應的頻率變化.通過施加峰值等于指定控制電壓的正弦波信號,解調VCXO的輸出信號,并以不同調制速率比較解調信號的輸出電平來測量.雖然非晶體控制的VCO可以以非常高的速率進行調制(輸出頻率大于10MHz時大于1MHz),但VCXO晶振的調制速率受到晶體物理特性的限制.
穩定性與可拉性
石英晶體是高Q器件,是石英晶體振蕩器的穩定性元素.它固有地抵抗被"拉"(偏離)其設計頻率.為了產生具有顯著可牽引性的VCXO,振蕩器電路必須"去Q".這導致晶體在其頻率與溫度特性,老化特性及其短期穩定性(和相關的相位噪聲)特性方面的固有穩定性降低.VCXO的一個特定情況是增加的偏差導致穩定性降低,這可能導致需要更寬的偏差,進一步降低穩定性,導致所需偏差的螺旋式增加.因此,它在用戶'
鎖相應用
當VCXO用于鎖相環應用時,偏差應始終至少與VCXO本身及其被鎖定的參考或信號的組合不穩定性一樣大.但是,如果系統的開環穩定性要求比標準VCXO可以提供的更嚴格,則可能需要TC-VCXO.對于最高穩定性開環要求,適當的振蕩器可以是那些包含窄偏差VCXO選項的TCXO晶振或OCXO.
振蕩器輸出頻率
基模晶體(一般為10-35MHz)的允許的最寬的偏差,而第三諧波晶體(一般為30-125MHz)的允許偏差約1/9個的那它適用于基本原理.因此,所有寬偏差VCXO(偏差大于±100到±200ppm)都使用基本晶體.另一方面,較窄的偏差VCXO可以使用基模或第三泛音晶振,并且其選擇通常取決于諸如線性和穩定性的規范.很少有更高的泛音,因此更高頻率的晶體在VCXO中得到應用.因此,輸出頻率高于或低于適當晶體的可用頻率的VCXO包括倍頻器或分頻器.