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NDK晶振,NX8045GE晶振,8045晶振

頻率：4~8mhz

尺寸：8.0*4.5*2.0mm

NDK晶振,NX8045GE晶振,8045晶振,車載用小型表面封裝晶體諧振器.可對應低頻（4～ 8MHz）.小型SMD封裝 (8.0×4.5×2.0mm)具有耐熱、耐振、耐撞擊等優(yōu)良的耐環(huán)境特性.高的耐焊接開裂性能使其封裝在玻璃環(huán)氧樹脂基板上，可實現(xiàn)3000個熱循環(huán).可對應工作溫度范圍-40～+150°C.符合無鉛焊接的回流焊曲線特性.符合AEC-Q200標準.

訂購熱線：0755-27876201

日本電波工業(yè)株式會社作為晶體元器件的專業(yè)生產(chǎn)廠家，以“通過對客戶的服務，為社會繁榮和世界和平作出貢獻”的創(chuàng)業(yè)理念為基礎于1948年成立。

現(xiàn)在我們作為提供電子業(yè)必不可少的，在豐富用途被廣泛使用的晶體元器件產(chǎn)品以及應用。

貼片晶振,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為晶振本身小型化需求的市場領域,小型?薄型是對應陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差?。┑闹虚g領域的一種性價比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導航HDD,SSD,USB,Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

NDK晶振規(guī)格	單位	NX8045GE晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
額定頻率	f_nom	4~8MHz	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C/-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C/-10°C ～ +70°C	標準溫度
頻率公差	f_— l	±50 × 10-6	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明,請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,http://www.jintuocc.com
頻率溫度特征	f_tem	±150°C× 10-6	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	（標準8PF）	超出標準說明,請聯(lián)系我們.
等效串聯(lián)電阻(ESR)	R1	Max. 150	Max. 150
頻率老化	f_age	Max. ±10×10-6/year *1	+25°C,第一年

NX8045GE-8.0_4.5

1：輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產(chǎn)品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射。
2：化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
3：外加電壓
如果過大的激勵電力對無源晶振外加電壓,有可能導致特性老化或損壞,因此請在宣傳冊,規(guī)格書中規(guī)定的范圍使用。讓無源晶振振蕩的電路寬裕度大致為負性阻抗值,本公司推薦此負性阻抗為諧振器串聯(lián)電阻規(guī)格值的5倍以上。若是車載和安全設備,則推薦10倍以上。
4：鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
5：靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.NDK晶振,NX8045GE晶振,表面封裝晶體諧振器.
NDK晶振環(huán)保方針：

日本電波工業(yè)株式NDK晶振已經(jīng)建立和正在推動一項中期計劃的具體減排目標，以減少二氧化碳的排放是全球變暖的原因。它也有助于減少（抑制）CO2排放量，通過使用最先進的技術，實現(xiàn)最小化，以及減少石英晶體諧振器,石英晶體的重量和功耗，以支持社會的需要。

NDK晶振的新概念的溫補晶體振蕩器,石英晶體振蕩器器件。通過產(chǎn)品生命周期提高整體節(jié)能貢獻和環(huán)境績效的舉措。制造-環(huán)境友好生產(chǎn)—優(yōu)化-提高性能/效率的節(jié)能貢獻—通過制造致密/復雜產(chǎn)品減少資源節(jié)約—環(huán)境消除/減少環(huán)境負荷物質(zhì)—這些是倡議的支柱。制造業(yè)-環(huán)保生產(chǎn)—我們將介紹一些情況下，發(fā)現(xiàn)CO2排放量的產(chǎn)品生命周期使用環(huán)境LCA方法。NDK晶振,NX8045GE晶振,表面封裝晶體諧振器.