壓電晶體是許多小規(guī)模能源之一.無論何時壓電晶體發(fā)生機械變形或受到振動,它們都會產(chǎn)生很小的電壓,通常稱為壓電性.這種可再生能源形式并不適合工業(yè)環(huán)境.某些晶體響應(yīng)施加的機械應(yīng)力產(chǎn)生壓電性的能力是可逆的,因為當受到外部施加的電壓時,壓電晶體可以改變形狀少量.這種變形雖然只有納米,但卻具有有用的應(yīng)用,例如聲音的產(chǎn)生和檢測.

壓電晶體還可形成電子產(chǎn)品中的必需品"壓電石英晶體"壓電石英晶體是用量僅次于單晶硅的電子材料,用于制造選擇和控制頻率的電子元器件,廣泛應(yīng)用于電子信息產(chǎn)業(yè)各領(lǐng)域,如彩電,空調(diào),電腦,DVD,無電線通訊等,尤其在高性能電子設(shè)備及數(shù)字化設(shè)備中應(yīng)用日益擴大. 低腐蝕隧道密度壓電晶體是生產(chǎn)SMD晶振頻率片,手機頻率片的必需材料. 壓電晶體產(chǎn)品品種主要有: Z棒,Y棒,厚度片,頻率片.

根據(jù)晶振的功能和實現(xiàn)技術(shù)的不同,可以將晶振分為以下四類：

1) 恒溫晶體振蕩器(以下簡稱OCXO)

這類型晶振對溫度穩(wěn)定性的解決方案采用了恒溫槽技術(shù),將晶體置于恒溫槽內(nèi),通過設(shè)置恒溫工作點,使槽體保持恒溫狀態(tài),在一定范圍內(nèi)不受外界溫度影響,達到穩(wěn)定輸出頻率的效果.這類晶振主要用于各種類型的通信設(shè)備,包括交換機,SDH傳輸設(shè)備,移動通信直放機,GPS接收機,電臺,數(shù)字電視及軍工設(shè)備等領(lǐng)域.根據(jù)用戶需要,該類型晶振可以帶壓控引腳.OCXO的工作原理如下圖3所示:

圖3恒溫晶體振蕩器原理框圖OCXO的主要優(yōu)點是,由于采用了恒溫槽技術(shù),頻率溫度特性在所有類型晶振中是最好的,由于電路設(shè)計精密,其短穩(wěn)和相位噪聲都較好.主要缺點是功耗大,體積大,需要5分鐘左右的加熱時間才能正常工作等.

2) 溫補晶體振蕩器(以下簡稱TCXO)

其對溫度穩(wěn)定性的解決方案采用了一些溫度補償手段,主要原理是通過感應(yīng)環(huán)境溫度,將溫度信息做適當變換后控制晶振的輸出頻率,達到穩(wěn)定輸出頻率的效果.傳統(tǒng)的TCXO是采用模擬器件進行補償,隨著補償技術(shù)的發(fā)展,很多數(shù)字化補償大TCXO開始出現(xiàn),這種數(shù)字化補償?shù)腡CXO又叫DTCXO,用單片機進行補償時我們稱之為MCXO,由于采用了數(shù)字化技術(shù),這一類型的晶振再溫度特性上達到了很高的精度,并且能夠適應(yīng)更寬的工作溫度范圍,主要應(yīng)用于軍工領(lǐng)域和使用環(huán)境惡劣的場合.在廣大研發(fā)人員的共同努力下,我公司自主開發(fā)出了高精度的MCXO,其設(shè)計原理和在世界范圍都是領(lǐng)先的,配以高度自動化的生產(chǎn)測試系統(tǒng),其月產(chǎn)可以達到5000只,其設(shè)計原理如圖4.

圖4 MCXO數(shù)字溫補晶振原理框圖

3) 普通晶體振蕩器(SPXO)

這是一種簡單的晶體振蕩器,通常稱為成長方形鐘振,其工作原理為圖3中去除“壓控”,“溫度補償”和“AGC”部分,完全是由晶體的自由振蕩完成.這類晶振主要應(yīng)用于穩(wěn)定度要求不高的場合.

4) 壓控晶體振蕩器(VCXO)

這是根據(jù)晶振是否帶壓控功能來分類,帶壓控輸入引腳的一類晶振叫VCXO,以上三種類型的晶振都可以帶壓控端口.

壓電晶體能源的另一個常見用途是產(chǎn)生小型電動機;例如反射相機中用于操作自動對焦系統(tǒng)的那些.這些電機通過振動工作.迫使兩個表面以90度的相移通過在電動機共振頻率下產(chǎn)生的正弦波振動.這迫使兩個表面相遇的摩擦力,并且當一個表面固定時,另一個表面被迫移動.

在未來五年內(nèi),壓電晶體市場的收入將達到xx％CAGR,到20124年,全球市場規(guī)模將達到xx百萬美元,與2019年的xx百萬美元相比.特別是介紹了壓電晶體業(yè)務(wù)中關(guān)鍵公司的全球市場份額(銷售額和收入),

此外,本報告還討論了影響主要制造商和整個市場所面臨的市場增長,機遇,挑戰(zhàn)和風險的關(guān)鍵因素.它還分析了主要的新興趨勢及其對當前和未來發(fā)展的影響.

按產(chǎn)品類型,應(yīng)用,主要晶振廠家和產(chǎn)品類型,應(yīng)用,主要制造商提供了壓電晶體市場的全面概述,市場份額和增長機會.關(guān)鍵地區(qū)和國家.

研究目標

研究和分析關(guān)鍵地區(qū)/國家的全球壓電晶體消耗量(價值和體積),產(chǎn)品類型和應(yīng)用,2014年至2018年的歷史數(shù)據(jù),以及預(yù)測到2024年.

通過識別壓電晶體市場的結(jié)構(gòu)來了解壓電晶體市場的結(jié)構(gòu).各個分段.

重點關(guān)注全球主要的壓電晶體制造商,定義,描述和分析未來幾年的銷量,價值,市場份額,市場競爭格局,SWOT分析和發(fā)展計劃.

分析壓電晶體的個體增長趨勢,未來前景及其對整個市場的貢獻.

分享影響市場增長的關(guān)鍵因素的詳細信息(增長潛力,機遇,驅(qū)動因素,行業(yè)特定挑戰(zhàn)和風險).

針對關(guān)鍵區(qū)域(及其各自的關(guān)鍵國家)預(yù)測壓電晶體子市場的消耗量.

分析競爭性發(fā)展,例如擴展,協(xié)議,新產(chǎn)品發(fā)布和市場收購.

戰(zhàn)略性地描述關(guān)鍵參與者并全面分析他們的增長戰(zhàn)略.

1/5