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臺技SMD晶體7M-25.000MAKV-T與逆變器的秘密揭曉!6G晶振物料

2023-06-28 14:30:33 

臺技SMD晶體7M-25.000MAKV-T與逆變器的秘密揭曉!6G晶振物料,TXC是一家專注于研發設計高品質元器件的制造商,十分擅長開發石英晶振產品,通過自身的努力,以及對于行業的深度觀察與探究,發現新的機會,同時針對新的機會,開發設計出來性能優越,具有成本效益的優質產品,耐心打磨陶瓷諧振器產品編碼7M-25.000MAKV-T,型號7M,尺寸為3.20mm x 2.50mm,頻率為25MHZ,頻率穩定性為60ppm ,工作溫度為-40°C~+125°C,產品具備高性能高精度的特點。

產品特性:頻率范圍:10MHz~114MHz,陶瓷SMD封裝,接縫密封,外形尺寸(mm)高:3.2×寬:2.5×高:0.7,符合RoHS標準,不含鉛,產品主要應用范圍:藍牙,無線局域網,手機,傳呼機,DSC,顯示,電視,電腦外圍設備,消費產品等領域。
TXC公司多年來,始終以提升客戶價值為目標,是以無論在價格、質量、交期、服務等方面,均盡力盡心于超越客戶的期待,并以能成為客戶最佳的策略合作伙伴自我敦促,同時也開始深入了解石英晶振產品的細枝末節.

原廠編碼 廠家 型號 系列 頻率 頻率穩定度 工作溫度
7A-24.576MBBK-T TXC晶振 7A MHz Crystal 24.576MHz ±50ppm -20°C ~ 70°C
7M-50.000MAAE-T TXC晶振 7M MHz Crystal 50MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
7M-16.666670MAAE-T TXC晶振 7M MHz Crystal 16.66667MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
7M-30.000MAAE-T TXC晶振 7M MHz Crystal 30MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
8Z-30.000MAAJ-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 30MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
8Z-38.400MAAE-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 38.4MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
7M-40.000MAKV-T TXC晶振 7M MHz Crystal 40MHz ±60ppm -40°C ~ 125°C
7M-27.000MAKV-T TXC晶振 7M MHz Crystal 27MHz ±60ppm -40°C ~ 125°C
8Z-16.66667MAAE-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 16.66667MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
7M-24.000MAKV-T TXC晶振 7M MHz Crystal 24MHz ±60ppm -40°C ~ 125°C
7M-25.000MAKV-T TXC晶振 7M MHz Crystal 25MHz ±60ppm -40°C ~ 125°C
7V-24.000MAAV-T TXC晶振 7V MHz Crystal 24MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
8Z-27.000MAAE-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 27MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
8Z-19.200MAAV-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 19.2MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
8Z-30.000MAAV-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 30MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
7V-16.000MAAV-T TXC晶振 7V MHz Crystal 16MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
8Z-20.000MAAE-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 20MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
7V-14.7456MAAV-T TXC晶振 7V MHz Crystal 14.7456MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
7V-24.000MAKV-T TXC晶振 7V MHz Crystal 24MHz ±60ppm -40°C ~ 125°C
7V-25.000MAKV-T TXC晶振 7V MHz Crystal 25MHz ±60ppm -40°C ~ 125°C
8Z-38.000MAAV-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 38MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
8Z-48.000MAAE-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 48MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
8Z-26.000MAAV-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 26MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
7V-12.500MAAV-T TXC晶振 7V MHz Crystal 12.5MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
7V-25.000MAAV-T TXC晶振 7V MHz Crystal 25MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
AH-32.768KBZF-T TXC晶振 AH kHz Crystal (Tuning Fork) 32.768kHz - -40°C ~ 85°C
8Z-16.000MAAE-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 16MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
8Z-20.000MAAV-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 20MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
9HT11-32.768KBZY-T TXC晶振 9HT11 kHz Crystal (Tuning Fork) 32.768kHz - -40°C ~ 85°C
9HT11-32.768KBZF-T TXC晶振 9HT11 kHz Crystal (Tuning Fork) 32.768kHz - -40°C ~ 85°C
9HT11-32.768KBZC-T TXC晶振 9HT11 kHz Crystal (Tuning Fork) 32.768kHz - -40°C ~ 85°C
7B-14.31818MAAE-T TXC晶振 7B MHz Crystal 14.31818MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
9HT11-32.768KBZB-T TXC晶振 9HT11 kHz Crystal (Tuning Fork) 32.768kHz - -40°C ~ 85°C
7B-27.000MBBK-T TXC晶振 7B MHz Crystal 27MHz ±50ppm -20°C ~ 70°C
7B-12.000MAAE-T TXC晶振 7B MHz Crystal 12MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
7B-40.000MAAE-T TXC晶振 7B MHz Crystal 40MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
AA-10.000MAGY-T TXC晶振 AA MHz Crystal 10MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
AA-8.192MAGE-T TXC晶振 AA MHz Crystal 8.192MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
AA-25.000MALE-T TXC晶振 AA MHz Crystal 25MHz ±150ppm -40°C ~ 125°C
7M-20.000MBBK-T TXC晶振 7M MHz Crystal 20MHz ±50ppm -20°C ~ 70°C
7V-20.000MAHE-T TXC晶振 7V MHz Crystal 20MHz ±30ppm -40°C ~ 85°C
8Y-27.120MAAE-T TXC晶振 8Y MHz Crystal 27.12MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
AV-28.63636MAGV-T TXC晶振 AV MHz Crystal 28.63636MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
8Z-26.000MAHQ-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 26MHz ±30ppm -40°C ~ 85°C
9HT11-32.768KAZB-T TXC晶振 9HT11 kHz Crystal (Tuning Fork) 32.768kHz - -40°C ~ 85°C
8Z-16.000MAHQ-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 16MHz ±30ppm -40°C ~ 85°C
8Z-20.000MAHQ-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 20MHz ±30ppm -40°C ~ 85°C
8Z-27.000MAHQ-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 27MHz ±30ppm -40°C ~ 85°C
9HT11-32.768KAZC-T 臺灣晶技 9HT11 kHz Crystal (Tuning Fork) 32.768kHz - -40°C ~ 85°C
8Z-24.000MAHQ-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 24MHz ±30ppm -40°C ~ 85°C
9HT11-32.768KAZY-T TXC晶振 9HT11 kHz Crystal (Tuning Fork) 32.768kHz - -40°C ~ 85°C
8Z-25.000MAHQ-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 25MHz ±30ppm -40°C ~ 85°C
7V-24.000MAHE-T TXC晶振 7V MHz Crystal 24MHz ±30ppm -40°C ~ 85°C
7M-37.400MEEJ-T TXC晶振 7M MHz Crystal 37.4MHz ±10ppm -20°C ~ 70°C
7M-32.000MBBK-T TXC晶振 7M MHz Crystal 32MHz ±50ppm -20°C ~ 70°C
AH-32.768KDZY-T TXC晶振 AH kHz Crystal (Tuning Fork) 32.768kHz - -40°C ~ 85°C
8Y-25.000MAAV-T TXC晶振 8Y MHz Crystal 25MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
8Z-27.120MAHQ-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 27.12MHz ±30ppm -40°C ~ 85°C
8Z-12.000MAHQ-T TXC晶振 8Z MHz Crystal 12MHz ±30ppm -40°C ~ 85°C
7M-19.200MAAE-T TXC晶振 7M MHz Crystal 19.2MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
7V-14.7456MAAE-T TXC晶振 7V MHz Crystal 14.7456MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
7B-18.432MAAJ-T TXC晶振 7B MHz Crystal 18.432MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
AH-32.768KDZC-T TXC晶振 AH kHz Crystal (Tuning Fork) 32.768kHz - -40°C ~ 85°C
8Y-38.400MAAV-T TXC晶振 8Y MHz Crystal 38.4MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
AX-9.84375MAGV-T TXC晶振 AX MHz Crystal 9.84375MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
8Y-20.000MAAE-T TXC晶振 8Y MHz Crystal 20MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
7B-28.63636MAAJ-T TXC晶振 7B MHz Crystal 28.63636MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
7V-27.000MAAE-T TXC晶振 7V MHz Crystal 27MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
7V-20.000MAAE-T TXC晶振 7V MHz Crystal 20MHz ±30ppm -20°C ~ 70°C
AV-24.000MAGV-T TXC晶振 AV MHz Crystal 24MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
7V-16.000MAHE-T TXC晶振 7V MHz Crystal 16MHz ±30ppm -40°C ~ 85°C
AX-16.9344MAGV-T TXC晶振 AX MHz Crystal 16.9344MHz ±50ppm -40°C ~ 85°C
在“次諧振”選擇框中,振動夸克的動態分支可以使用 C1、L1 和 R1 與C1n,L1n和R1n的分支平行切換:所謂的副共振。在圖1中,她選擇了 'R1n =10 x R1',并在適當設置'溫度'時作為主諧振旁邊的小尖峰 承認。

順便說一句,并聯共振頻率現在稍高,因為在模擬中假設次共振C1為主共振的10%,因此根據距離串行/并聯共振 等式2有助于(但這僅在主要和干擾序列共振頻率接近時 一致!)。臺技SMD晶體7M-25.000MAKV-T與逆變器的秘密揭曉!6G晶振物料.

tu 21

與所需的振動頻率相反,這些干擾的副共振通常具有非常高的振動頻率。 高度依賴溫度。人們可以測量“溫度”,從而測量干擾共振的頻率。 通過移動滑塊來改變模擬。

如果使用具有指定負載能力的貼片石英晶振,則副共振的影響可能仍然存在。 顯著增加(圖2)。根據干擾參數的值,共振電阻可能相當大。 放大,正確的共振可以移動,或者它甚至可以是兩個大致相同的強度 形成明顯的共振點。

tu 24

大多數微處理器使用皮爾斯電路中的石英振蕩器作為時鐘設置。活躍的接管一個逆變器。

tu 25

皮爾斯振蕩器與逆變器反饋網絡為飾 Grundtonquarz (用于工作電壓或穩定電壓的元件) 工作項目未顯示)

逆變器的輸出電阻與電阻 Rv 和 PI膠體Cb/Quarz/Ca 一起構成 帶有頻率依賴性相位移的窄帶通道。根據振動條件,整個階段必須 是360°. 逆變器提供 180°, 通常更多一點, 由于額外的, 半導體相關的 因此,通過帶通的外部相位移可能略小于180° 是。

設置外部分量的值,使振幅分量和相位分量滿足振動條件而不超過最大石英載荷;一般來說,一個好的找到妥協。選擇相同大小的Ca和Cb是沒有意義的,大約是兩倍。 另一方面,有意義的是通過壓電石英晶體的“非對稱”電路進行阻抗轉變Ca的第一個引用值比指定的負載能力高 10-20%,第一個值為 Cb 至少是Ca 值的兩倍。

Rv的選擇應足夠大,以便不超過允許的石英負荷。應該與那些Rv和Cb控制器將傳輸功能調整到精確的頻率、正確的石英載荷和最佳的形狀。 優化諧振曲線. 這不一定需要設置的最高電壓增益 反饋網絡,如果逆變器提供足夠的增益!

在“結構”菜單中,Y-QUARTZ應用程序提供了模擬和優化此類PierceOszillator的反饋網絡的能力。

tu 26

皮爾斯振蕩器,對稱(22pF / 22pF / 300Ω)和非對稱選擇 Ca和Cb(18/110pF)

在圖5中,過低的自適應電阻RV的不利影響再次得到證明。其中 超過了允許的石英無源晶體負荷。其次,必要的階段轉換 從180°僅以這種方式和在具有低相分離度的點。此外,還有最大幅度 相位180°不處于相同的頻率。

tu 28

Pierce 振蕩器 小RV

逆變器的實際輸入電阻可以使用Rin滑塊進行模擬。 在最終電路中,Ca和Rb應圍繞輸入電容和輸出電阻的值。 將減少逆轉。

Pierce電路需要具有負載能力的振動方塊,如果沒有額外的電感串聯轉化為石英。

因此, 有一些自由度, 用于在最佳電阻 Rv 上調整電路尺寸可以導向。 在所示的示例中,一個容量Cs串聯切換到石英。它可以作為投票元素;它但是,Ca和Cb的容量也會更大,這會影響晶體管參數的溫度依賴性和放松。

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