頻率:3.579~50.0MHz
尺寸:10.21*4.8*4.5mm
制造商 | 富士通 | 產(chǎn)地 | 日本 | 產(chǎn)品型號 | HCM49S |
頻率 |
3.579~50.0MHz |
負(fù)載 |
16pF,20pF |
溫度范圍 |
-55°C~+125°C |
頻率偏差 |
±15ppm~±50ppm |
封裝 |
金屬面貼片 | 尺寸 | 10.21*4.8*4.5mm |
富士通晶振規(guī)格 |
單位 |
HCM49S晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
3.579~50.0MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-65°C~+140°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-55°C~+125°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±15~±50× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30~±100 × 10-6/-55°C~+125°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
16pF,20pF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說明,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
清洗
使用AT-切割晶體和表面聲波(SAW)諧振器/聲表面濾波器的產(chǎn)品,可以通過超聲波進(jìn)行清洗.但是,在某些條件下,晶體特性可能會受到影響,而且內(nèi)部線路可能受到損壞.確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性.使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產(chǎn)品無法確保能夠通過超聲波方法進(jìn)行清洗,因為晶體可能受到破壞.
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅(qū)動力,會導(dǎo)致石英晶振特性受到損害或破壞.電路設(shè)計必須能夠維持適當(dāng)?shù)募罟β?請參閱“激勵功率”章節(jié)內(nèi)容).
負(fù)極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負(fù)極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節(jié)內(nèi)容).
負(fù)載電容
振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致路由晶振的振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容(請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).
噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導(dǎo)致會引發(fā)功能失常或擊穿的閉門或雜散現(xiàn)象.
電源線路
電源的線路阻抗應(yīng)盡可能低.
富士通晶振通過追求以QMEMS技術(shù)為核心的“省、小、精”技術(shù),來推動具有領(lǐng)先性的環(huán)保活動,把降低環(huán)境負(fù)荷作為一種顧客價值提供給顧客.
創(chuàng)造并提供專研了“省、小、精”的32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,聲表面濾波器等水晶元器件及其關(guān)聯(lián)產(chǎn)品;并且構(gòu)筑和革新既可以降低環(huán)境負(fù)荷又可以提高生產(chǎn)性的生產(chǎn)流程的活動.
通過此方針的公文化,在向公司員工及從事本事業(yè)領(lǐng)域業(yè)務(wù)的所有相關(guān)人員徹底傳達(dá)的同時,也向公司外部公開.
富士通晶振集團(tuán)將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護(hù)活動的質(zhì)量.
富士通晶振集團(tuán)公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進(jìn)行環(huán)境保護(hù),將建立自己的特有的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn).
富士通晶振集團(tuán)將在各領(lǐng)域內(nèi)的商務(wù)運作中實施持續(xù)改進(jìn),包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等.
根據(jù)需要,提高環(huán)境技術(shù)、材料和石英晶振的發(fā)展信息及環(huán)境管理活動的公開性.
富士通晶振公司的目標(biāo)是保證產(chǎn)品繼續(xù)滿足客戶要求的同時對環(huán)境的影響降到最小,在生產(chǎn)過程中不斷節(jié)約能源和資源,努力實現(xiàn)環(huán)境管理體系與環(huán)境行為持續(xù)改進(jìn).
承諾保護(hù)環(huán)境,重視員工、客戶和公眾的健康和安全.我們從事任何活動,都要以注重安全和環(huán)保方式,并考慮到生態(tài)系統(tǒng)的復(fù)雜性和相關(guān)性.
建立目標(biāo)指標(biāo)、監(jiān)測程序,利用最好的管理手段,應(yīng)用節(jié)約晶振生產(chǎn)成本,持續(xù)改進(jìn)我們的環(huán)境表現(xiàn).我們承諾采取積極的、預(yù)防性的戰(zhàn)略管理來對自然環(huán)境和地方社區(qū)的影響最小化.
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