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頻率:10.0~100.0MHz
尺寸:6.00*3.50*1.3mm
制造商 | 富士通 | 產(chǎn)地 | 日本 | 產(chǎn)品型號(hào) | FSX-6M2 |
頻率 |
10.0~100.0MHz |
負(fù)載 |
16pF,20pF |
溫度范圍 |
-10°C~+85°C |
頻率偏差 |
±10ppm~50ppm |
封裝 |
金屬面貼片 | 尺寸 | 6.00*3.50*1.3mm |
富士通晶振規(guī)格 |
單位 |
FSX-6M2晶振 |
石英晶振基本條件 |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
f_nom |
10.0~100.0MHz |
標(biāo)準(zhǔn)頻率 |
儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-20°C~+100°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C~+85°C |
標(biāo)準(zhǔn)溫度 |
激勵(lì)功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±10~±50× 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)) |
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±3~±15 × 10-6/-10°C~+85°C |
超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們. |
負(fù)載電容 |
CL |
16pF,20pF |
超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
抗沖擊
貼片晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害,因此應(yīng)避免照射.
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無(wú)源晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.
靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞無(wú)線擴(kuò)展器晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.
富士通晶振通過(guò)追求以QMEMS技術(shù)為核心的“省、小、精”技術(shù),來(lái)推動(dòng)具有領(lǐng)先性的環(huán)保活動(dòng),把降低環(huán)境負(fù)荷作為一種顧客價(jià)值提供給顧客.
創(chuàng)造并提供專研了“省、小、精”的32.768K鐘表晶振,溫補(bǔ)晶振晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,聲表面濾波器等水晶元器件及其關(guān)聯(lián)產(chǎn)品;并且構(gòu)筑和革新既可以降低環(huán)境負(fù)荷又可以提高生產(chǎn)性的生產(chǎn)流程的活動(dòng).
通過(guò)此方針的公文化,在向公司員工及從事本事業(yè)領(lǐng)域業(yè)務(wù)的所有相關(guān)人員徹底傳達(dá)的同時(shí),也向公司外部公開.
富士通晶振集團(tuán)將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的質(zhì)量.
富士通晶振集團(tuán)公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進(jìn)行環(huán)境保護(hù),將建立自己的特有的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn).
富士通晶振集團(tuán)將在各領(lǐng)域內(nèi)的商務(wù)運(yùn)作中實(shí)施持續(xù)改進(jìn),包括能源資源的保持,回收再利用以及減少?gòu)U棄物等.
根據(jù)需要,提高環(huán)境技術(shù)、材料和石英晶體諧振器的發(fā)展信息及環(huán)境管理活動(dòng)的公開性.
富士通晶振公司的目標(biāo)是保證產(chǎn)品繼續(xù)滿足客戶要求的同時(shí)對(duì)環(huán)境的影響降到最小,在生產(chǎn)過(guò)程中不斷節(jié)約能源和資源,努力實(shí)現(xiàn)環(huán)境管理體系與環(huán)境行為持續(xù)改進(jìn).
承諾保護(hù)環(huán)境,重視員工、客戶和公眾的健康和安全.我們從事任何活動(dòng),都要以注重安全和環(huán)保方式,并考慮到生態(tài)系統(tǒng)的復(fù)雜性和相關(guān)性.
建立目標(biāo)指標(biāo)、監(jiān)測(cè)程序,利用最好的管理手段,應(yīng)用節(jié)約晶振生產(chǎn)成本,持續(xù)改進(jìn)我們的環(huán)境表現(xiàn).我們承諾采取積極的、預(yù)防性的戰(zhàn)略管理來(lái)對(duì)自然環(huán)境和地方社區(qū)的影響最小化.
手機(jī):137 2874 2863
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