頻率:10.0~50.0MHz
尺寸:5.00*3.20*0.7mm
制造商 | 富士通 | 產地 | 日本 | 產品型號 | FSX-5M |
頻率 |
10.0~50.0MHz |
負載 |
18pF |
溫度范圍 |
-10°C~+70°C |
頻率偏差 |
±30ppm,±50ppm |
封裝 |
金屬面貼片 | 尺寸 | 5.00*3.20*0.7mm |
富士通晶振規(guī)格 |
單位 |
FSX-5M晶振 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
10.0~50.0MHz |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-20°C~+85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-10°C~+70°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±30,±50× 10-6 (標準) |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30~±50 × 10-6/-10°C~+70°C |
超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們. |
負載電容 |
CL |
18pF |
超出標準說明,請聯(lián)系我們. |
串聯(lián)電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
清洗
使用AT-切割晶體和表面聲波(SAW)諧振器/聲表面濾波器的產品,可以通過超聲波進行清洗.但是,在某些條件下,晶體特性可能會受到影響,而且內部線路可能受到損壞.確保已事先檢查系統(tǒng)的適用性.使用音叉晶體和陀螺儀傳感器的產品無法確保能夠通過超聲波方法進行清洗,因為晶體可能受到破壞.
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅動力,會導致石英晶振特性受到損害或破壞.電路設計必須能夠維持適當的激勵功率(請參閱“激勵功率”章節(jié)內容).
負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動時間可能會增加(請參閱“關于振蕩”章節(jié)內容).
負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致晶振的振蕩頻率與設計頻率之間產生偏差.試圖通過強力調整,可能只會導致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節(jié)內容).
噪音
在電源或輸入端上施加執(zhí)行級別(過高)的不相干(外部的)噪音,可能導致會引發(fā)功能失常或擊穿的閉門或雜散現(xiàn)象.
電源線路
電源的線路阻抗應盡可能低.
富士通晶振通過追求以QMEMS技術為核心的“省、小、精”技術,來推動具有領先性的環(huán)保活動,把降低環(huán)境負荷作為一種顧客價值提供給顧客.
創(chuàng)造并提供專研了“省、小、精”的32.768K鐘表晶振,溫補晶振晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器,聲表面濾波器等水晶元器件及其關聯(lián)產品;并且構筑和革新既可以降低環(huán)境負荷又可以提高生產性的生產流程的活動.
通過此方針的公文化,在向公司員工及從事本事業(yè)領域業(yè)務的所有相關人員徹底傳達的同時,也向公司外部公開.
富士通晶振集團將建立可行的技術及經濟性環(huán)境目標,并確保其環(huán)境保護活動的質量.
富士通晶振集團公司將關注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進行環(huán)境保護,將建立自己的特有的環(huán)境標準.
富士通晶振集團將在各領域內的商務運作中實施持續(xù)改進,包括能源資源的保持,回收再利用以及減少廢棄物等.
根據需要,提高環(huán)境技術、材料和石英晶振的發(fā)展信息及環(huán)境管理活動的公開性.
富士通晶振公司的目標是保證產品繼續(xù)滿足客戶要求的同時對環(huán)境的影響降到最小,在生產過程中不斷節(jié)約能源和資源,努力實現(xiàn)環(huán)境管理體系與環(huán)境行為持續(xù)改進.
承諾保護環(huán)境,重視員工、客戶和公眾的健康和安全.我們從事任何活動,都要以注重安全和環(huán)保方式,并考慮到生態(tài)系統(tǒng)的復雜性和相關性.
建立目標指標、監(jiān)測程序,利用最好的管理手段,應用節(jié)約晶振生產成本,持續(xù)改進我們的環(huán)境表現(xiàn).我們承諾采取積極的、預防性的戰(zhàn)略管理來對自然環(huán)境和地方社區(qū)的影響最小化.
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