頻率:32.768KHz
尺寸:2.0*6.0mm
西鐵城晶振公司為工業市場提供高性能和精密設備,不斷開發新技術和新技術在我們的制造業和工程.我們有一個良好的信譽在市場上特別是對我們的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器等高精密零件使用我們自己的核心技術和脆性材料和微顯示高清圖片是必需的.是盡一切努力來改善我們的技術和發展提供有價值的服務我們的客戶,即使這是一個利基市場.
西鐵城晶振,石英晶振,CFS-206晶振,CFV-206晶振,32.768K音叉型石英晶體諧振器產品具有以下幾種規格,∅3*8,∅2*6,我公司所有材料均是來自日本進口,封裝測試設備采用日本精工儀器設備,并且從日本聘請高級技術工程師,所生產的32.768K晶體具有一致性良好.
振的真空封裝技術:是指石英晶振在真空封裝區域內進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生;2.使晶振組件在真空下電阻減小;3.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一.
西鐵城晶振規格 |
單位 |
CFS-206晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-20°C ~ +70°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
12.5pF ~ ∞ |
超出標準說明,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
西鐵城晶振規格 |
單位 |
CFV-206晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
標準頻率 |
f_nom |
32.768KHZ |
標準頻率 |
儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~ +85°C |
裸存 |
工作溫度 |
T_use |
-20°C ~ +70°C |
標準溫度 |
激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ~ 100μW |
頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
負載電容 |
CL |
12.5pF ~ ∞ |
超出標準說明,請聯系我們. |
串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
修改插件晶振彎曲導腳的方法(1) 要修改彎曲的導腳時,以及要取出晶振等情況下不能強制拔出導腳,如果強制地拔出導腳,會引起玻璃的破裂,而導致殼內真空濃度的下降,有可能促使晶振特性的惡化以及晶振芯片的破損。(2) 要修改彎曲的導腳時,要壓住外殼基側的導腳,且從上下方壓住彎曲的部位,再進行修改。
彎曲導腳的方法(1) 將導腳彎曲之后并進行焊接時,導腳上要留下離外殼0.5mm的直線部位。如果不留出導腳的直線部位而將導腳彎曲,有可能導致玻璃的破碎 。(2) 在導腳焊接完畢之后再將導腳彎曲時,務必請留出大于外殼直徑長度的空閑部分。如果直接在外殼部位焊接,會導致殼內真空濃度的下降,使晶振特性惡化以及晶振芯片的破損。應注意將晶振平放時,不要使之與導腳相碰撞,請放長從外殼部位到線路板為止的導腳長度 ,并使之大于外殼的直徑長度.CITIZEN晶振環保方針:
西鐵城晶振,作為全球企業可持續的社會的實現,集團一體推進地球環境保全活動。推進了環境考慮的產品和服務的產品和服務。為了提供社會,努力維護地球環境。遵守環境相關的法令、條例、限制、協定及其他要求事項,環境負荷的降低和污染的防止努力。進行協同集團全球環境保全措施作為全球業務支持一個可持續發展的社會發展.
西鐵城晶振工廠、辦公室節能、省資源、資源循環、化學物質的合理管理推動,地球溫暖化防止及循環型社會的實現貢獻。與采購單位、供應商等的客戶合作,溫室效應氣體削減,資源的有效利用,努力對晶振,石英晶振的化學物質的管理強化等。西鐵城晶振,石英晶振,CFS-206晶振,CFV-206晶振.