關(guān)于石英晶振我們都知道是一款頻率電子元件,是大多數(shù)電子產(chǎn)品需要使用到的一款晶振元件.關(guān)于其他晶振更多的要求就不得而知了.該篇文章就由康比電子粗略的介紹一下關(guān)于晶振眾多技術(shù)中的其中一小部分.
增益和驅(qū)動電平
增加
為了確保在錯誤的晶體模式下沒有寄生或振蕩,建議確保環(huán)路增益剛好足以確保在最壞情況下的滿意操作。僅是晶體在其活動極限時振蕩所需的2到3倍的增益裕度極限應(yīng)該足夠了。
驅(qū)動電平
低頻晶體,特別是微型晶體,很容易被過度驅(qū)動損壞,如果VHF晶體不在校準時的驅(qū)動電平的至少一個數(shù)量級內(nèi)工作,就會顯示出明顯的頻率偏移。如果需要高度的穩(wěn)定性,建議不要超過制造商建議的最大驅(qū)動水平。精密頻率標準通常以低于一微瓦的頻率運行高頻晶體,由AGC電路而不是有源器件本身的限制作用保持在這個水平。
如果可能的話,在考慮下一階段的需求之前,電路應(yīng)該針對穩(wěn)定性、增益和驅(qū)動電平進行優(yōu)化。只要考慮阻抗水平,就可以從電路的各個部分提取信號;石英晶體振蕩器電路的過度負載將影響穩(wěn)定性和增益裕度。
實用電路
低于150千赫茲
形成同相放大器的兩個接地發(fā)射極晶體管提供了在這些頻率下保證晶振低活性振蕩所必需的增益。L1和C2儲能電路應(yīng)針對最大輸出進行調(diào)整,提供一些選擇性,并防止錯誤晶體模式下的振蕩。二極管D1和D2將晶體驅(qū)動限制在標準晶體的安全水平。對于微調(diào)頻率,Cc可以是微調(diào)器,其中間值應(yīng)該大約等于平行校準晶體的負載電容。
低于150千赫茲
形成同相放大器的兩個接地發(fā)射極晶體管提供了在這些頻率下保證晶體低活性振蕩所必需的增益。L1和C2儲能電路應(yīng)針對最大輸出進行調(diào)整,提供一些選擇性,并防止錯誤晶振模式下的振蕩。二極管D1和D2將晶體驅(qū)動限制在標準晶體的安全水平。對于微調(diào)頻率,Cc可以是微調(diào)器,其中間值應(yīng)該大約等于平行校準晶體的負載電容。
150千赫至550千赫
這是一個阻抗反轉(zhuǎn)皮爾斯振蕩器,它抑制了DT和CT切割貼片晶振的主要雙頻寄生模式。為了與在并聯(lián)諧振下校準的晶體一起使用,C1可以被等于晶體負載電容的電容器代替。L1被調(diào)整用于同頻操作。
950至21MHz
這是一個帶有串聯(lián)微調(diào)的考皮茨振蕩器。Ca、Cb和微調(diào)器的中間值的串聯(lián)組合,如果需要的話,加上它的并聯(lián)填充電容,應(yīng)該等于晶體負載電容。在較高頻率下,晶體管和雜散電容的分流效應(yīng)應(yīng)該允許5pF左右。如果調(diào)諧到諧波的LC槽插入晶體管集電極,你可以提取晶體諧波頻率。這種情況下的輸出應(yīng)該取自收集器。
21至105赫茲
上述電路分別適用于第三和第五泛音晶體,描述了阻抗反相、科爾皮茨振蕩器。隨著晶體被旁路電容器暫時分流,L1最初應(yīng)該被調(diào)整,使得在其最小值,在晶體頻率出現(xiàn)自由振蕩。如果晶體正偏移少量(根據(jù)晶體公差和可用電感擺動,10-40ppm),L1將允許精確的頻率設(shè)置。可以實現(xiàn)諧波提取,如低頻科爾皮茨電路所述。
105兆赫以上
高于105兆赫茲振蕩器電路設(shè)計很困難,我們建議使用類似于上述電路的接地振蕩器。lo用于調(diào)諧晶體C0,否則會引起寄生振蕩。理想情況下,頻率上的操作應(yīng)該與最大輸出一致,L1應(yīng)該被調(diào)諧到最大輸出。L1還可以提供有限的修整范圍,并且可以用與壓控晶振串聯(lián)的修剪器同時進行調(diào)節(jié)。所需要的精密公差晶體以及各種電路相移使得用其特性已經(jīng)被預(yù)先精確測量的樣品晶體進行實驗成為可能。任何必要的頻率偏移都可以寫入晶體規(guī)格。為了避免寄生振蕩,VHF電路布局實踐是必不可少的。同樣重要的是,確保反射回晶體管集電器箱的負載可以有額外的電容抽頭來實現(xiàn)這一點,保持總電容處于相同的順序,或者一些“真實”電阻可以與之并聯(lián)。
這是一種常用的電路,采用TTL反相器或AT-cut晶體柵極。由于元件成本低,這是一個流行的電路,PCB上總是有備用反相器,可以作為時鐘振蕩器投入使用。然而,讓這種裝置工作有時會令人沮喪,因為這些裝置從未打算用作線性放大器。電容器C2 (可以是微調(diào)器)旨在抵消逆變器的有效串聯(lián)電阻,而不是充當(dāng)石英晶振的負載電容器。在高頻時,C2可能必須太小,才能正確執(zhí)行此功能。不幸的是,C3的存在加劇了滯后相移問題,這是防止快速波前激發(fā)晶體三泛音模式所必需的;低于8MHz可能會造成麻煩。如果打算進行第三泛音操作,而不是C1僅僅是一個耦合電容器,那么它可以是一個低值,以便充當(dāng)高通濾波器。可能更好的是,此時將是一個串聯(lián)LC罐。
對于基模晶體,選擇C3,以便第三泛音被抑制,加倍以確保安全,然后選擇C2給出同頻振蕩。不同IC的參數(shù)可能有很大差異,所以最好嘗試不同的品牌,堅持最有效的品牌。換句話說,要小心,用大約10nF將電源盡可能靠近IC去耦,如果可能的話,對輸出使用不同的封裝