SiT5346是一款堅固耐用的Endura™ 精密Super-TCXO溫補晶體振蕩器，可在1至60MHz頻率范圍內工作，并提供±100-ppb頻率穩定性、0.004ppb/g加速度靈敏度（典型值），在高達105攝氏度。它專為惡劣環境而設計，可在存在環境壓力因素（氣流、溫度擾動、振動、沖擊和電磁干擾 (EMI)）的情況下提供最穩定的時序。SiT5346符合MIL-PRF-55310和MIL-STD-883規范，是高可靠性航空航天和國防應用的理想解決方案。這種基于MEMS的Endura Super-TCXO可以在工廠編程為頻率、穩定性、電壓和牽引范圍的任意組合。
Sitime 5346利用SiTime晶振獨特的DualMEMS溫度檢測和TurboCompensation技術，在氣流、溫度擾動、振動、沖擊和電磁干擾等環境壓力下提供最佳動態性能，實現時序穩定性。該器件還集成多個片內調節器來過濾電源噪聲，無需專用的外部LDO。
TCXO：SiT5346AC-FQ-33E0B19.123456T
VCTCXO：SiT5346AC-FQ-33VTB19.123456T
DCTCXO：SiT5346AC-FQG33JRB19.123456T
SiT1569是首款采用超小型1.5x0.8mm(1508)芯片級封裝(CSP)的ULP、工廠可編程晶振，也是SiTime超小型振蕩器新系列的一部分。該器件可以針對1Hz至462.5kHz范圍內的任何頻率進行編程。硅MEMS技術使得在芯片級封裝中生產世界上最小的可編程參考時鐘成為可能。
SiTime晶振的TempFlat MEMS™ 技術與我們的混合信號CMOS設計能力相結合，可在1.2mm2 芯片級封裝中實現超低功耗、工廠可編程振蕩器——這是世界上最小的封裝。100kHz時的典型內核電源電流僅為3.3μA。SiT1569能夠提供1Hz和462.5kHz之間的任何頻率，可保證±50ppm的全包（初始和整個溫度）頻率穩定性。
半導體元件有望在產品的整個壽命期內可靠運行.選擇可靠性等級最高的設備限制了故障組件在現場導致產品故障的可能性.SITIME晶振提供滿足這一目標的振蕩器,零微機電系統場故障超過2.5億個單位.零場故障令人印象深刻,但工程師希望確保零件已經過充分的可靠性測試.衡量半導體元件可靠性的關鍵指標是平均故障間隔時間,即平均故障間隔時間.MTBF越高,器件的預期壽命越長,因此器件越可靠.本應用筆記描述了SiTime微機電系統振蕩器的測試過程和預測平均溫度系數的計算.
SITIME晶振微機電系統(MEMS)kHz振蕩器是極小的低功耗32kHz器件,針對移動和其他電池供電應用進行了優化.硅MEMS技術實現了超小尺寸和芯片級封裝.這些器件可實現更大的元件布局靈活性,并消除了外部負載電容,從而節省了額外的元件數量和電路板空間.SiTime采用NanoDrive™技術,這是一種工廠可編程輸出,可降低電壓擺幅,從而最大限度地降低功耗.還提供TempFlatMEMS™技術,該技術可在1.2mmx1.2mm的封裝內實現首個32kHz±3百萬分之一(ppm)超級TCXO.SiTime的MEMS振蕩器包括一個MEMS諧振器和一個可編程模擬電路.kHzMEMS諧振器采用SiTime獨特的MEMSFirst™工藝.關鍵制造步驟是EpiSeal™,在此期間MEMS諧振器的退火溫度超過+1000°C.EpiSeal創造了一個極其牢固,干凈的真空室來封裝MEMS諧振器,可確保最佳的性能和可靠性
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